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Carbon condensation and 3C-SiC growth caused by oxidizing Si$$_{1-x}$$C$$_{x}$$ alloy layers on Si(001) substrate

Si(001)基板上のSi$$_{1-x}$$C$$_{x}$$合金層の酸化による炭素濃縮と3C-SiC成長

穂積 英彬*; 小川 修一*; 吉越 章隆 ; 石塚 眞治*; Harries, J.; 寺岡 有殿; 高桑 雄二*

Hozumi, Hideaki*; Ogawa, Shuichi*; Yoshigoe, Akitaka; Ishizuka, Shinji*; Harries, J.; Teraoka, Yuden; Takakuwa, Yuji*

歪Siチャネルを持つ相補型金属-酸化膜-半導体(CMOS)デバイスがキャリア移動度を改善するために開発されてきた。そのようなCMOSデバイスでは、チャネル層はSi$$_{1-x}$$Ge$$_{x}$$又はSi$$_{1-x}$$C$$_{x}$$合金で形成される。Si$$_{1-x}$$Ge$$_{x}$$合金層の場合、酸化するとGeが濃縮される。一方、IV族合金層の酸化反応速度の詳細はまだ明らかになっていない。本研究では、Si$$_{1-x}$$C$$_{x}$$合金層の酸化反応速度についてリアルタイムX線光電子分光によって研究し、酸化速度と酸化途中の炭素原子の振る舞いについて明らかにした。

Strained-Si channel complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) devices has been developed to improve the carrier mobility. In such CMOS devices, the channel layer is formed on an Si$$_{1-x}$$Ge$$_{x}$$ or by an Si$$_{1-x}$$C$$_{x}$$ alloy layer. In the case of Si$$_{1-x}$$Ge$$_{x}$$ alloy layer, the oxidation of alloy layer is employed for Ge concentration. On the other hand, the detail of oxidation kinetics on the IV group alloy layer has not been cleared yet. In this study, the oxidation reaction kinetics on an Si$$_{1-x}$$C$$_{x}$$ alloy layer was investigated by real-time X-ray photoelectron spectroscopy to reveal the oxidation rate and behavior of C atoms during oxidation.

発表言語

 :

English

掲載資料名

 :

巻

 :

号

 :

ページ数

 :

発行年月

 :

発表会議名

 :

5th International Workshop on New Group IV Semiconductor Nanoelectronics

開催年月

 :

2010/01

開催都市

 :

Sendai

開催国

 :

Japan

キーワード

 :

no keyword

特許データ

 :

PDF

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論文URL

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研究データの公開先DOI

 :

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使用施設

 :

SPring-8(大型放射光施設)

広報プレスリリース

 :

論文解説
(JAEA R&D Navigator)

 :

受委託・共同研究相手機関

 :

東北大学

Access

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