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SiO$$_{2}$$/Si界面酸化における格子歪みの役割,3; 酸化誘起炭素濃縮による3C-SiC成長

Role of strain in SiO$$_{2}$$/Si interfacial oxidation, 3; 3C-SiC growth caused by oxidation-induced carbon condensation

穂積 英彬*; 小川 修一*; 吉越 章隆 ; 石塚 眞治*; Harries, J.; 寺岡 有殿; 高桑 雄二*

Hozumi, Hideaki*; Ogawa, Shuichi*; Yoshigoe, Akitaka; Ishizuka, Shinji*; Harries, J.; Teraoka, Yuden; Takakuwa, Yuji*

歪みSi-MOSFET作製にはSiGe混晶層が用いられてきたが、Ge以外にCを用いる方法も提案されている。Si$$_{1-x}$$C$$_{x}$$合金層でのゲート絶縁膜形成における酸化膜形成過程は、Si清浄表面のものと著しく異なる。本研究では、このようなSi$$_{1-x}$$C$$_{x}$$合金層酸化過程におけるC原子の挙動をリアルタイムXPSで調べた。酸化誘起歪みによってC原子がSiO$$_{2}$$/Si界面に濃縮され、臨界C濃度(x=0.2)を超えることで3C-SiCが形成されることを明らかにした。

An SiGe alloy layer is used for fabrication of strained Si-MOSFET devices. The use of C atoms instead of Ge is also presented. Oxidation processes in the gate insulator formation on the Si$$_{1-x}$$C$$_{x}$$ alloy layer is completely different comparing to an Si clean surface. In this study, behavior of C atoms in the oxidation of Si$$_{1-x}$$C$$_{x}$$ alloy layer has been investigated by real-time XPS. Concentration of C atoms in the SiO$$_{2}$$/Si interface took place due to induced strain by oxidation. And 3C-SiC growth occurred when C density increased over a critical value of 0.2.

発表言語

 :

Japanese

掲載資料名

 :

巻

 :

号

 :

ページ数

 :

発行年月

 :

発表会議名

 :

2010年(平成22年)春季第57回応用物理学関係連合講演会

開催年月

 :

2010/03

開催都市

 :

平塚

開催国

 :

日本

キーワード

 :

no keyword

特許データ

 :

PDF

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論文URL

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研究データの公開先DOI

 :

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使用施設

 :

SPring-8(大型放射光施設)

広報プレスリリース

 :

論文解説
(JAEA R&D Navigator)

 :

受委託・共同研究相手機関

 :

東北大学

Access

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