微小角入射X線回折によるGaAs(001)及びInAs(001)上bcc-Fe成長のその場観察

In situ Observation of growth mechanisms of bcc-Fe on GaAs(001) and InAs(001) by using Grazing Incidence X-ray Diffraction

藤川 誠司; 高橋 正光

Fujikawa, Seiji; Takahashi, Masamitsu

われわれは、bcc-Feの成長機構を明らかにするため、MBE成長中において微小角入射X線回折を用いたその場観察により、格子不整合の違うGaAs(001)とInAs(001)基板でbcc-Fe極薄膜の評価を行った。SPring-8 BL11XUの表面X線回折計用MBE装置で、室温においてGaAs(001)とInAs(001)上にFeを2又は4MLずつ成長しながら、(040)回折の指数HK面の逆格子空間マップ測定を行った。Fe成長量に対する、GaAs(001)とInAs(001)基板のbcc-Feの回折ピークから見積もったK方向の格子歪の変化から、GaAs(001)ではbcc-Feからの回折は4MLから現れ、格子歪はほぼ緩和しているのに対して、InAs(001)ではbcc-Feは6MLから現れ、Fe成長量が増えるとともに格子歪の緩和が徐々に進行している。これより、格子不整合の影響がbcc-Fe膜の結晶性に大きく寄与していることがわかった。

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