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巨大TMR効果を示すフラーレン-コバルト薄膜におけるスピン偏極電流

Spin-polarized current flow in the C$$_{60}$$-Co hybrid films with giant TMR effect

境 誠司; 松本 吉弘; 圓谷 志郎; 菅井 勇*; 三谷 誠司*; 高梨 弘毅; 前田 佳均

Sakai, Seiji; Matsumoto, Yoshihiro; Entani, Shiro; Sugai, Isamu*; Mitani, Seiji*; Takanashi, Koki; Maeda, Yoshihito

共蒸着法により組成が異なるCPP(current-perpendicular-to-plane)型及びCIP(current-into-plane)型のグラニュラーC$$_{60}$$-Co素子を作製し、試料の磁気伝導特性を調べた。ここで、グラニュラー薄膜のTMR効果の磁気抵抗率(MR)の大きさには、スピン偏極率(P)の効果に加えて高次トンネル過程による増長効果が反映されるため、MRから一義的にPを見積もることができないという問題がある。そこで本研究では、素子の電流-電圧特性から高次トンネル過程の次数を評価し、高次過程の寄与を考慮した高橋らの理論モデルに基づきトンネル電子のPを計算した。素子構造や組成が異なるすべての試料でコンシステントな解析結果が得られ、ゼロ温度でのPの値は80%以上であることが示された。本結果から、C$$_{60}$$-Co薄膜中の界面に完全に近くスピン偏極した状態が存在することが明らかになった。

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