高エネルギーイオンビームを用いた高スピン偏極陽電子源の開発

Development of spin-polarized positron source using high energy ion beam

Maekawa, Masaki; Kawasuso, Atsuo; Fukaya, Yuki; Yabuuchi, Atsushi

スピン偏極陽電子を用いると、物質内部や表面・界面の余剰スピンの検出が可能となり、スピントロニクス材料分野へ応用できる。高い偏極率と強度を持つ陽電子源として、われわれは $^{68}$ Geに注目した。これは半減期270日で $^{68}$ Gaに壊変し、最大エネルギー1.9MeVの陽電子を放出する。理論上のスピン偏極率は90%である。線源の生成には高エネルギープロトンビームによる $^{69}$ Ga(p,2n) $^{68}$ Ge反応を用いる。本研究ではGaターゲットを収める線源カプセルの開発、イオンビーム照射による $^{68}$ Geの生成、及び生成効率・スピン偏極率の測定を行った。

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使用言語	:	Japanese
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発表会議名	:	第47回アイソトープ・放射線研究発表会
開催年月	:	2010/07
開催都市	:	東京
開催国	:	日本
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使用施設	:	TIARA(イオン照射研究施設)
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登録番号 : BB20100624
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