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Enhancement of pairing gap by apical and dopant oxygens in cuprates

銅酸化物における頂点及び過剰酸素による超伝導ギャップの増強

森 道康  ; Khaliullin, G.*; 遠山 貴己*; 前川 禎通

Mori, Michiyasu; Khaliullin, G.*; Toyama, Takami*; Maekawa, Sadamichi

高い転移温度(Tc)を持つ超電導体材料の探索はいまなお重要な研究課題である。超伝導体を用いた量子コンピューターデバイスの開発においても、高いTcを持つ超電導体が強く望まれる。一方、高温超電導体のSTMを用いた最近の実験で、頂点酸素や過剰酸素の位置とその近傍におけるCuO$$_{2}$$面内の超伝導ギャップの大きさとが強く相関していることが報告されている。この結果は、CuO$$_{2}$$面内のキャリア濃度や磁気相互作用のほかにTcを制御している因子の存在を意味している。本研究では、頂点酸素の位置の変化によるMadelungポテンシャルの局所的変化を計算し、簡素な模型を提案して超伝導の安定性を議論する。また、酸素の持つ大きな分極率の寄与を取り込むことで超電導ギャップが増大する可能性を提案する。

no abstracts in English

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