薮内 敦; 前川 雅樹; 河裾 厚男; 長谷川 繁彦*; Zhou, Y. K.*; 朝日 一*
Yabuuchi, Atsushi; Maekawa, Masaki; Kawasuso, Atsuo; Hasegawa, Shigehiko*; Zhou, Y. K.*; Asahi, Hajime*
CrドープGaNは室温希薄磁性半導体材料として期待されている。磁気特性を得るためには高濃度にCrを固溶させることが重要であるが、一般的なGaNのMBE成長温度ではCrN相が析出してしまうため、低温での結晶成長が試みられている。しかしこの場合、空孔型欠陥の導入が懸念される。そこで本研究ではMBE成長GaCrN結晶中の欠陥構造について低速陽電子ビームを用いて評価した。MOCVD-GaN(2
m)/Sapphireテンプレート基板上にMBE成長によりGaN(4nm)/GaCrN(500nm)/GaN(40nm)構造を作製した。GaN層の成長温度は700
Cであり、GaCrN層(Cr濃度0.7%)の成長温度は700Cもしくは540Cである。それぞれの成長温度についてSiドープ試料とアンドープ試料を用意した。これら試料の陽電子消滅
線ドップラー幅広がり測定と陽電子寿命測定を行った。その結果、低温成長により空孔型欠陥が導入され、さらにその欠陥種もしくは欠陥濃度がSiドープにより変化することを見いだした。消滅線同時計数ドップラー幅広がり測定並びに陽電子寿命測定の結果から、低温成長のアンドープGaCrN, SiドープGaCrN中にはそれぞれ空孔集合体,単空孔関連欠陥複合体が存在していると結論付けた。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | 262 |
号 |
: | 1 |
ページ数 |
: | p.012066_1 - 012066_4 |
発行年月 |
: | 2011/01 |
発表会議名 |
: | 12th International Workshop on Slow Positron Beam Techniques (SLOPOS-12) |
開催年月 |
: | 2010/08 |
開催都市 |
: | Magnetic Island |
開催国 |
: | Australia |
キーワード |
: | no keyword |
論文URL |
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使用施設 |
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論文解説記事 |
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受委託・共同研究相手機関 |
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Access |
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- Accesses |
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InCites™ |
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パーセンタイル：0.06 分野：Physics, Applied |
Altmetrics |
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