SOIデバイスの重イオン照射誘起電流抑制に関する検討

A Study on reduction of heavy-ion induced current in SOI device

竹安 秀徳*; 岡崎 勇志*; 小倉 俊太*; 大谷 拓海*; 高橋 芳浩*; 平尾 敏雄; 小野田 忍; 牧野 高紘; 大島 武

Takeyasu, Hidenori*; Okazaki, Yuji*; Ogura, Shunta*; Otani, Takumi*; Takahashi, Yoshihiro*; Hirao, Toshio; Onoda, Shinobu; Makino, Takahiro; Oshima, Takeshi

半導体デバイスに高エネルギー粒子が入射することでデバイス内に発生する電荷により、過渡電流が流れ、誤動作や故障が引き起こされる(シングルイベント現象)。現在、シングルイベント現象の抑制にはSOI(Silicon on Insulator)構造が良いという提案がなされているが、実際のイオン照射の結果では、BOX層を介した変位電流のため、活性層で発生する電荷以上の収集電荷量が確認されている。支持基板表面の空乏層幅を抑制することでBOX層を介した収集電荷が抑制可能であると考え、支持基板印加電圧を変化させることにより空乏層幅を変化させ、収集電荷量に及ぼす影響を評価したところ、BOX層を介した電荷収集を抑えられることが見いだされた。

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