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C$$_{60}$$-Co化合物/Ni積層薄膜における磁気交換結合

Magnetic exchange coupling in the C$$_{60}$$-Co compound / Ni bilayer thin film

松本 吉弘; 圓谷 志郎; 島田 敏宏*; 楢本 洋*; 三谷 誠司*; 高梨 弘毅; 横山 利彦*; 境 誠司

Matsumoto, Yoshihiro; Entani, Shiro; Shimada, Toshihiro*; Naramoto, Hiroshi*; Mitani, Seiji*; Takanashi, Koki; Yokoyama, Toshihiko*; Sakai, Seiji

われわれのグループは、C$$_{60}$$-Co化合物中にCo結晶粒が分散したグラニュラー構造を有するC$$_{60}$$-Co薄膜において、伝導電子がCo結晶粒間をトンネルすることで巨大磁気抵抗効果(磁気抵抗率(MR=$$Delta$$R/R$$_{min}$$=$$sim$$1000%)が生じることを明らかにしてきた。最近の分光解析から、C$$_{60}$$-Co化合物中のCo原子に局在dスピンの存在が明らかになり、同スピンの磁化率がTMR効果の大きさに影響を及ぼすことが示唆されている。一方、素子特性の解析から、磁気抵抗率の磁場依存性は温度によらずCoナノ粒子の磁気応答(磁化曲線)と対応する振る舞いを示すことが示されている。これら複雑な磁気応答性の原因を明らかにするためには、C$$_{60}$$-Co化合物中の局在スピンの詳細、特にC$$_{60}$$-Co化合物/Co結晶粒界面近傍の電子・スピン状態の理解が重要であると推察される。以上の観点から、本研究ではC$$_{60}$$-Co化合物/Co結晶粒界面領域のモデル構造として、Ni(111)薄膜上に成膜したC$$_{60}$$-Co化合物薄膜(膜厚: 3nm)について放射光を用いた磁気円二色性(MCD)による磁気状態分光を行った。

no abstracts in English

使用言語

 :

Japanese

掲載資料名

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巻

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号

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ページ数

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発行年月

 :

発表会議名

 :

第34回日本磁気学会学術講演会

開催年月

 :

2010/09

開催都市

 :

つくば

開催国

 :

日本

キーワード

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no keyword

特許データ

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