InドープZnOのイオン照射効果

Ion irradiation effect of In-doped ZnO

Matsunami, Noriaki*; Fukushima, Jun*; Sataka, Masao; Okayasu, Satoru; Sugai, Hiroyuki; Kakiuchida, Hiroshi*

原子力科学研究所タンデム加速器からの高エネルギー重イオンをインジウム(In)ドープのZnOに照射した。InドープのZnOは太陽電池電極の電極材などに用いられる透明半導体である。高エネルギーNe及びXeイオン照射の結果、電気伝導度が照射量に対し数桁上昇することを見いだした。これは高エネルギー重イオン照射に特徴的に起こる固体中の電子励起過程により、ZnサイトをInが置換した結果であることを見いだした。

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使用言語	:	Japanese
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ページ数	:
発行年月	:
発表会議名	:	日本物理学会2010年秋季大会(物性)
開催年月	:	2010/09
開催都市	:	堺
開催国	:	日本
キーワード	:	no keyword

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使用施設	:	タンデム加速器
広報プレスリリース	:
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受委託・共同研究相手機関	:	名古屋大学

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登録番号 : BB20101823
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