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面内X線回折によるGaAs(001)上のFe-As化合物薄膜の観察

Observation of Fe-As compound thin film on GaAs(001) by in-plane X-ray diffraction

藤川 誠司; 高橋 正光

Fujikawa, Seiji; Takahashi, Masamitsu

GaAs(001)基板はFeの格子定数の2倍に対して格子整合がよく、なおかつFe(001)$$<$$100$$>$$//GaAs(001)$$<$$100$$>$$のエピタキシャル関係で成長することが知られているため、Fe/GaAs(001)ヘテロ構造はスピントロニクスデバイスへの応用が期待されている。その界面にはFe, As, Gaからなる化合物が形成されることが知られており、良質なヘテロ構造形成にはそれらの化合物の制御が重要である。しかしながら、原子レベルでの薄膜における基板と化合物の結晶方位の関係はまだわかっていない。本研究では、GaAs(001)基板上にAs照射下でFe-As化合物薄膜を形成し、その場X線回折により[1$$bar{1}$$0]及び[100]方向の観察を行った。その結果、強磁性Fe$$_{3}$$Ga$$_{2-x}$$As$$_{x}$$化合物単結晶が(1$$bar{1}$$$$bar{1})$$Fe$$_{3}$$Ga$$_{2-x}$$As$$_{x}$$//(200)GaAs及び(1$$bar{2}$$0)Fe$$_{3}$$Ga$$_{2-x}$$As$$_{x}$$//(2$$bar{2}$$0)GaAsのエピタキシャル関係で形成されることがわかった。

no abstracts in English

使用言語

 :

Japanese

掲載資料名

 :

巻

 :

号

 :

ページ数

 :

発行年月

 :

発表会議名

 :

2010年秋季第71回応用物理学会学術講演会

開催年月

 :

2010/09

開催都市

 :

長崎

開催国

 :

日本

キーワード

 :

no keyword

特許データ

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PDF

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論文URL

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研究データの公開先DOI

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使用施設

 :

SPring-8(大型放射光施設)

広報プレスリリース

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論文解説記事
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