Tritium distribution of tungsten exposed with low energy, high flux D plasma

低エネルギー,高フラックスの重水素プラズマで照射したタングステンにおけるトリチウムの分布

磯部 兼嗣; Alimov, V.; 山西 敏彦; 鳥養 祐二*

Isobe, Kanetsugu; Alimov, V.; Yamanishi, Toshihiko; Torikai, Yuji*

プラズマと材料表面との相互作用を調べるため、低エネルギーで高いフラックスの重水素プラズマで照射したタングステンのトリチウム分布をBIXS法にて測定した。重水素プラズマ照射は495Kと550Kで行った。その後重水素で希釈したトリチウムガスに473Kで5時間曝露することで同位体交換反応によるトリチウムの導入を行った。BIXS法で表面からの詳細な深さ方向のトリチウム分布を測定したところ、495Kで照射した試料が最も高い表面水素濃度を示した。この結果は、以前実施した昇温脱離法による重水素保持量の結果と非常に一致していた。

To understand these plasma surface interactions, tritium distribution of tungsten exposed with low energy (38 eV), high flux D plasma was examined with BIXS. D plasma exposures were carried out at around 495 and 550 K of specimen. After that, specimen was exposed with gaseous tritium diluted with deuterium at 473 K in 5 hours. Amount of tritium in surface layer was measured with BIXS and tritium distribution of surface. The amount of tritium in surface layer was different of each exposure condition and tungsten exposed at 495 K shows highest amount of tritium. This result quite agrees with D inventory examination with thermal desorption spectrometer.