SOI-pnダイオードにおける重イオン照射誘起電流

Heavy-ion induced current in SOI-pn diode

高橋 芳浩*; 大脇 章弘*; 竹安 秀徳*; 平尾 敏雄; 小野田 忍; 牧野 高紘; 大島 武

Takahashi, Yoshihiro*; Owaki, Akihiro*; Takeyasu, Hidenori*; Hirao, Toshio; Onoda, Shinobu; Makino, Takahiro; Oshima, Takeshi

SOI(Silicon on Insulator)上に作製したpnダイオードの重イオン照射誘起電流について検討を行った。逆バイアス印加時の試料に18MeV酸素イオンを照射した際の照射位置依存性について評価した結果、アノード中心部に照射した際の収集電荷はBOXを介した変位電流によるものが支配的であること、一方、エッジ部に照射した場合は、活性層で発生した電荷収集が支配的であることがわかった。また、基板裏面への電圧印加を行い支持基板表面の空乏層を制御することにより、BOXを介した変位電流が抑制可能であり、特にアノード中心部へ照射した際の過渡電流はノイズレベル程度になることを実験的に示した。

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