Synthesis of SiC nanowires and nanotubes sheathed with BN

BN被覆SiCナノワイヤー及びナノチューブの創製

田口 富嗣; 井川 直樹   ; 社本 真一  

Taguchi, Tomitsugu; Igawa, Naoki; Shamoto, Shinichi

これまでに作製に成功しているC-SiCナノチューブ及びSiCナノチューブを1600C以上の温度で、BN粉末とともに真空中で、5時間熱処理を行うことにより、BN層が被覆したSiCナノワイヤー及びナノチューブの合成に成功した。TEM観察から、被覆されていたBN層は、10層以下であった。1500C以下の温度での熱処理では、SiCナノチューブ表面には、BN層は形成しなかった。また、熱処理によるSiC結晶粒子の粒成長により、ナノチューブの中空が埋まり、多くのナノチューブがナノワイヤーへと変質した。

SiC nanowires and nanotubes sheathed with BN were synthesized by annealing C-SiC and SiC nanotubes at 1600 and 1700 C for 5 h with BN powder in Ar gas. According to TEM observation, the BN coating was very thin and the layer number of BN coating was less than 10. The BN coating on the surface of SiC nanotubes was not produced by the heat treatment at 1500 C. This result revealed that BN on the surface of SiC nanomaterials produced by heat treatment of higher than 1600 C. After the heat treatment of higher than 1600 C, many nanotubes transformed to nanowires because the inner space of nanotubes was occluded due to the SiC grain growth by heat treatment.