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イオンビームグラフトにおける反応性の向上とラジカル重合速度の検討

Enhanced reactivity and polymerization kinetics of ion-track grafting

関根 敏彦; 澤田 真一; 八巻 徹也; 越川 博; 浅野 雅春; 鈴木 晶大*; 寺井 隆幸*; 前川 康成

Sekine, Toshihiko; Sawada, Shinichi; Yamaki, Tetsuya; Koshikawa, Hiroshi; Asano, Masaharu; Suzuki, Akihiro*; Terai, Takayuki*; Maekawa, Yasunari

エチレンテトラフルオロエチレン共重合体(ETFE)膜へのスチレンのイオンビームグラフト重合に対し、反応性の向上とラジカル重合速度則に基づく解析を試みた。3.7MeV/n$$^{15}$$N, 3.8MeV/n$$^{20}$$Ne, 3.8MeV/n$$^{40}$$Ar, 3.5MeV/n$$^{129}$$Xeイオンをフルエンス3$$times$$10$$^{7}$$又は3$$times$$10$$^{8}$$ions/cm$$^{2}$$でETFE膜へ照射した後、温度60$$^{circ}$$Cのスチレン溶液(20vol%)に浸漬し、1-24時間のグラフト重合を行った。グラフト重合の反応性は、ポリスチレンの貧溶媒であるイソプロパノールと水を反応溶液に混入させるとともに、イオン照射から反応までの時間を短縮し、重合に利用できる活性種の濃度を高く維持することで、グラフト率を従来の2倍以上に高めることができた。また、その反応速度について、膜の重量増加率の時間変化に対し、初期重合速度,停止反応速度,遅延時間を含む理論式で曲線フィッティングをかけることで評価した。$$gamma$$線グラフト重合の結果と比較して非常に高い初期重合速度,停止反応速度はイオンビームによる高密度のラジカル生成が要因であることがわかった。

no abstracts in English

使用言語

 :

Japanese

掲載資料名

 :

巻

 :

号

 :

ページ数

 :

発行年月

 :

発表会議名

 :

日本化学会関東支部群馬地区地域懇談会2010

開催年月

 :

2010/11

開催都市

 :

高崎

開催国

 :

日本

キーワード

 :

no keyword

特許データ

 :

PDF

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論文URL

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研究データの公開先DOI

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使用施設

 :

TIARA(イオン照射研究施設)

広報プレスリリース

 :

論文解説記事
(成果普及情報誌)

 :

受委託・共同研究相手機関

 :

東京大学

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