低雑音増幅器と雑音性能(委託研究)

A Low noise amplifier and its noise performances (Contract research)

山岸 秀志*; 藤 健太郎  

Yamagishi, Hideshi*; To, Kentaro

高速,高位置分解能二次元ガス中性子検出器システムを実現するには、高速低雑音ASICが必要である。高速低雑音ASICを開発するため、これに必要な高いgで低雑音のp-MOSFET、MP8とMP16を提案した。本稿では簡単な低雑音増幅器(LNA)を提案し、LNAにおけるノイズパワーと雑音指数(NF)の計算法を示した。また、LNAにMP8及びMP16を適用してNFを計算評価し、これらのp-MOSFETが高速低雑音ASIC用として十分な性能を有していることを確認した。

For development of two-dimensional position sensitive (2-D) neutron detectors with fast response and high spatial resolution, an ASIC with fast response and low noise performances is required. The MP8 and MP16, consisting of p-MOSFETs, with high g and low noise have been proposed (1) to develop the ASIC. In this paper a simple low noise amplifier (LNA) was designed and the noise power and the noise figure were analytically calculated. The results were also applied to LNAs using MP8 or MP16 configuration. The results showed that the MP8 and MP16 had enough performances for the ASIC.