• help
  • PC | SP
  • JP | EN
          
検索対象：     
報告書番号：
※ 半角英数字
 年 ～ 
 年
全てクリア
前の画面に戻る

イオンチャネリングによるFe$$_{2}$$CoSi, Co$$_{2}$$FeSi/Geへテロ界面の評価

Ion channeling analysis of Fe$$_{2}$$CoSi, Co$$_{2}$$FeSi/Ge heterointerfaces

松倉 武偉*; 鳴海 一雅; 境 誠司; 浜屋 宏平*; 宮尾 正信*; 前田 佳均

Matsukura, Bui*; Narumi, Kazumasa; Sakai, Seiji; Hamaya, Kohei*; Miyao, Masanobu*; Maeda, Yoshihito

われわれはMBE成長させたFe系ホイスラー合金:DO$$_{3}$$-Fe$$_{3}$$Si(111), L2$$_{1}$$-Fe$$_{2}$$MnSi(111)/Ge(111)へテロ界面の結晶軸配向性をイオンチャネリングによって系統的に評価し、その支配因子について研究してきた。本研究では、原子の占有サイトが異なるFe$$_{2}$$CoSi, Co$$_{2}$$FeSi(111)/Ge(111)の結晶軸配向性について検討した。200$$^{circ}$$C以下で行う低温分子線エピタキシャル(MBE)成長によってFe$$_{2}$$CoSi, Co$$_{2}$$FeSi(111)薄膜(膜厚$$sim$$50nm)を成長させた。Ge$$<$$111$$>$$軸での2.0MeV $$^{4}$$He$$^{+}$$チャネリングを後方散乱角165$$^{circ}$$で測定した。FeとCo原子からの散乱スペクトルは、分離できないために同一チャネルとして評価した。測定は熱振動の影響の少ない40Kで行った。薄膜のエピタキシャル成長の軸配向性の評価に重要な軸チャネリングの最小収量($$chi$$$$_{min}$$)はそれぞれ3.2%と2.0%、チャネリング半値角($$psi$$$$_{1/2}$$)は0.91$$^{circ}$$と0.92$$^{circ}$$であった。最小収量($$chi$$$$_{min}$$)付近のばらつきは、Fe$$_{2}$$CoSi, Co$$_{2}$$FeSi格子中の各サイトを占有するCo(A, C)とFe(B)原子の乱れによるものと推測される。講演では、($$chi$$$$_{min}$$, $$psi$$$$_{1/2}$$)とDebyeモデルとBarrette-Gemmellモデルから計算した原子の静的変位を用いて両者の違いを議論する。

no abstracts in English

発表言語

 :

Japanese

掲載資料名

 :

巻

 :

号

 :

ページ数

 :

発行年月

 :

発表会議名

 :

2011年(平成23年)春季第58回応用物理学関係連合講演会

開催年月

 :

2011/03

開催都市

 :

厚木

開催国

 :

日本

キーワード

 :

no keyword

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

研究データの公開先DOI

 :

本成果にかかわる研究データのリンクです。

使用施設

 :

TIARA(イオン照射研究施設)

広報プレスリリース

 :

論文解説
(JAEA R&D Navigator)

 :

受委託・共同研究相手機関

 :

京都大学; 九州大学; 大阪大学

Access

 :

- Accesses

InCites™

 :

Altmetrics

 :

[CLARIVATE ANALYTICS], [WEB OF SCIENCE], [HIGHLY CITED PAPER & CUP LOGO] and [HOT PAPER & FIRE LOGO] are trademarks of Clarivate Analytics, and/or its affiliated company or companies, and used herein by permission and/or license.

前の画面に戻る