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単結晶Si$$_{3}$$N$$_{4}$$ナノ材料の創製とその形状制御

Synthesis of single-crystalline Si$$_{3}$$N$$_{4}$$ nanomaterials and their morphology change

田口 富嗣; 社本 真一  

Taguchi, Tomitsugu; Shamoto, Shinichi

本研究では、Si粉末を窒素雰囲気で熱処理するという簡便な方法において、熱処理温度や窒素ガス流量を変化することにより、幾つかの単結晶Si$$_{3}$$N$$_{4}$$ナノ材料の合成に成功したので報告する。具体的には、熱処理温度が1300$$^{circ}$$C、窒素ガス流量が0.25l/minと低い場合、Si$$_{3}$$N$$_{4}$$ナノワイヤーやナノベルトが多く成長した。熱処理温度を1400$$^{circ}$$C、窒素ガス流量を0.75l/minと高くすることで、Si$$_{3}$$N$$_{4}$$ナノシートの合成に成功した。この結果から、熱処理温度だけでなく、窒素ガス流量もSi$$_{3}$$N$$_{4}$$ナノ材料の形態変化に重要な影響を及ぼすことを明らかにした。

Several types of single crystalline Si$$_{3}$$N$$_{4}$$ nanomaterials were synthesized by heat treatment of Si powder. In the case of heat temperature at 1300 $$^{circ}$$C, almost all products were Si$$_{3}$$N$$_{4}$$ nanowires. On the other hand, the suspended Si$$_{3}$$N$$_{4}$$ nanosheets with a width wider than 3 $$mu$$m and a thickness range of 1.5-4 nm were synthesized for the first time by the heat treatment at 1400 $$^{circ}$$C. Several nanosheets have scrolled edges possibly due to their ultra-thin thickness.

使用言語

 :

Japanese

掲載資料名

 :

巻

 :

号

 :

ページ数

 :

発行年月

 :

発表会議名

 :

日本セラミックス協会2011年年会

開催年月

 :

2011/03

開催都市

 :

浜松

開催国

 :

日本

キーワード

 :

no keyword

特許データ

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PDF

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使用施設

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広報プレスリリース

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