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In situ synchrotron radiation photoemission study of Ge$$_{3}$$N$$_{4}$$/Ge structures formed by plasma nitridation

プラズマ窒化により形成したGe$$_{3}$$N$$_{4}$$/Ge構造のその場放射光光電子分光研究

細井 卓治*; 朽木 克博*; 岡本 学*; 吉越 章隆 ; 寺岡 有殿; 志村 考功*; 渡部 平司*

Hosoi, Takuji*; Kutsuki, Katsuhiro*; Okamoto, Gaku*; Yoshigoe, Akitaka; Teraoka, Yuden; Shimura, Takayoshi*; Watanabe, Heiji*

Atomic structure and thermal stability of Ge$$_{3}$$N$$_{4}$$ dielectric layers for advanced Ge-MIS devices were investigated. SR-PES analysis revealed that Ge$$_{3}$$N$$_{4}$$ layers formed by high-density plasma nitridation are thermally stable up to 823 K, while surface oxides selectively decompose at around 773 K. Chemical shift originating from Ge-N bonds (Ge$$^{4+}$$) was also found to be 2.3 eV.

使用言語

 :

English

掲載資料名

 :

巻

 :

号

 :

ページ数

 :

発行年月

 :

発表会議名

 :

2011 International Workshop on Dielectric Thin Films for Future Electron Devices; Science and Technology (IWDTF-11)

開催年月

 :

2011/01

開催都市

 :

Tokyo

開催国

 :

Japan

キーワード

 :

no keyword

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

研究データの公開先DOI

 :

使用施設

 :

SPring-8(大型放射光施設)

広報プレスリリース

 :

論文解説記事
(成果普及情報誌)

 :

受委託・共同研究相手機関

 :

大阪大学

Access

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