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シンクロトロン放射光による分子スピントロニクス材料の元素選択的磁気状態分光

Element specific analysis of the molecular spintronics materials using synchrotron radiation

松本 吉弘; 圓谷 志郎; 楢本 洋*; 境 誠司; 島田 敏宏*; 横山 利彦*; 藤川 高志*

Matsumoto, Yoshihiro; Entani, Shiro; Naramoto, Hiroshi*; Sakai, Seiji; Shimada, Toshihiro*; Yokoyama, Toshihiko*; Fujikawa, Takashi*

本研究では、Co組成比の異なるC$$_{60}$$Co$$_{x}$$(x$$<$$5)試料についてX線吸収分光、及び、磁気円二色性分光を行った。併せて、TMR効果の発現機構解明には、Co結晶粒界面近傍でのC$$_{60}$$-Co化合物中の局在dスピン状態に関する知見が不可欠であることから、Ni(111)基板上に成膜したC$$_{60}$$-Co化合物層(膜厚: 3nm)についても同様の分光解析を行った。結果として、Ni基板上のC$$_{60}$$-Co化合物層では、Niを磁化させた状態でのゼロ磁場MCD測定において、厚いC$$_{60}$$-Co化合物層(膜厚: 30nm)とは異なる強いMCD信号が観測された。これはC$$_{60}$$-Co化合物/Niの層間に強磁性的なスピンカップリングが存在することを示しており、同様の相互作用がC$$_{60}$$-Co化合物/Co結晶粒界面においても生じていると推測される。

no abstracts in English

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