In situ observation of stress and strain evolution during surfactant-mediated growth of Ge on Si

サーファクタント用いたSi基板上Ge成長過程のストレス,歪み観測

Asaoka, Hidehito; Yamazaki, Tatsuya; Shamoto, Shinichi

サーファクタントを媒介しSi基板上に格子定数が異なるGeが成長する場合、成長モードがナノドット成長から、層状成長に変わる。成長過程のその場測定により、サーファクタントとして用いたBiの1原子層のストレスを実測するとともに、Biを最表面に保ちながら層状成長を可能とするGe成長過程におけるストレスと歪み観察に成功し、成長機構に深く関与するストレスのリラクゼーション過程を明らかにした。

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使用言語	:	English
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発表会議名	:	22nd Congress and General Assembly of the International Union of Crystallography (IUCr 2011)
開催年月	:	2011/08
開催都市	:	Madrid
開催国	:	Spain
キーワード	:	no keyword

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登録番号 : BB20110524
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