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クリプトンガスのイオン注入固定化試験; 大型容器の電極形状パラメータ試験

Studies on krypton immobilization technology using ion-implantation and sputtering process; Parametric study of electrode geometry of enlarged krypton gas immobilizing chamber

大谷 武久; 高橋 誠; 圷 知幸*; 木村 典道; 田中 志好

Otani, Takehisa; Takahashi, Makoto; Akutsu, Tomoyuki*; Kimura, Norimichi; Tanaka, Yukiyoshi

原子力機構では、放射性クリプトンガス(85Kr)をスパッタリングにより金属合金(Ni/Y)中に固定化し、長期貯蔵する技術を研究開発している。これまでに、大型容器を用いたイオン注入固定化法により天然クリプトンガスを連続注入する試験を実施した結果、スパッタリングによるターゲット電極の消耗が下部側に偏る傾向があることがわかった。ターゲット電極はクリプトンイオンが衝突する陰極となり、上下のアノード電極は電子が流れ込む陽極となることから、ターゲット電極上下の消耗量と、上下のアノード電流は比例する関係にある。今回は、ターゲット電極の消耗の偏り改善を目的として、アノード電流を上下均一にするため、アノード電極の形状をパラメータとした試験を実施し、消耗の偏りが改善できたことからその結果について報告する。

Optimum geometry of electrodes, which were equipped at the top and bottom of the krypton gas immobilizing chamber, was investigated for improvement of the immobilizing capability with enlarged krypton gas immobilizing chamber.

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