超音速分子線を用いたSi高指数面初期酸化過程の解析

Analysis of initial oxidation process of high-index Si surfaces using supersonic molecular beam

大野真也*; 井上慧*; 百瀬辰哉*; 兼村瑠威*; 吉越章隆 ; 寺岡有殿; 尾形祥一*; 安田哲二*; 田中正俊*

Ono, Shinya*; Inoue, Kei*; Momose, Tatsuya*; Kanemura, Rui*; Yoshigoe, Akitaka; Teraoka, Yuden; Ogata, Shoichi*; Yasuda, Tetsuji*; Tanaka, Masatoshi*

Siナノワイヤトランジスタ等の3次元構造を持つMOSFET構造においてはさまざまな面方位のSiO $_{2}$ /Si界面が存在する。このためSi高指数面におけるSiO $_{2}$ /Si界面構造のより詳細な理解が求められている。本研究では、SPring-8 BL23SUの表面化学実験ステーション(SUREAC2000)において0.8-2.26eVの並進運動エネルギーを持つ酸素の超音速分子線を用いて実験を行った。Si(001)とSi(113)はほぼ同様の並進運動エネルギー依存性を示すことがわかった。Si(113)表面の2層目のバックボンドへの酸化に対応するしきい値が1.51-2.26eVであることを示す結果を得た。

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使用言語	:	Japanese
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発行年月	:
発表会議名	:	2011年秋季第72回応用物理学会学術講演会
開催年月	:	2011/08
開催都市	:	山形
開催国	:	日本
キーワード	:	no keyword

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使用施設	:	SPring-8(大型放射光施設)
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受委託・共同研究相手機関	:	横浜国立大学

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登録番号 : BB20110825
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