CuOのイオン照射効果

Ion irradiation effects on copper-oxide(CuO) films

Matsunami, Noriaki*; Sakuma, Yasuhiro*; Sataka, Masao; Okayasu, Satoru; Kakiuchida, Hiroshi*

イオン照射による酸化物及び窒化物の電子励起過程による電子構造改質,原子構造改質の研究を進めている。酸化銅(CuO)薄膜に高エネルギーイオン(198MeV Xe, 99MeV Xe等)を照射し、スパッタリング収量等を測定した。その結果について報告するとともに、他の酸化物・窒化物の結果との比較を行う。測定したスパッタリング収量(Y)の電子的阻止能(Se)依存性は線形であることがわかった。Cu $_{2}$ Oの場合がそうであるように、一般に電子阻止能依存性は超線形(Y=ASe $^{n}$ , n1)である。この現象について、励起子モデルに基づいて考察する。

no abstracts in English

使用言語	:	Japanese
掲載資料名	:
巻	:
号	:
ページ数	:
発行年月	:
発表会議名	:	日本物理学会2011年秋季大会(物性)
開催年月	:	2011/09
開催都市	:	富山
開催国	:	日本
キーワード	:	no keyword

特許データ	:
PDF	:

論文URL	:
研究データの公開先DOI	:
使用施設	:	タンデム加速器
広報プレスリリース	:
論文解説記事 (成果普及情報誌)	:
受委託・共同研究相手機関	:	名古屋大学

Access	:	- Accesses
Web of Science® Times Cited Count	:	被引用回数：評価・統計等のため最新の被引用回数を確認したい場合は、直接Web of Science®をご確認ください。 http://www.webofknowledge.com/wos
InCites™	:
Altmetrics	:

登録番号 : BB20111075
抄録集掲載番号 :
論文投稿番号 :

[CLARIVATE ANALYTICS], [WEB OF SCIENCE], [HIGHLY CITED PAPER & CUP LOGO] and [HOT PAPER & FIRE LOGO] are trademarks of Clarivate Analytics, and/or its affiliated company or companies, and used herein by permission and/or license.