圓谷 志郎; 松本 吉弘; 大伴 真名歩; Avramov, P.; 楢本 洋*; 境 誠司
Entani, Shiro; Matsumoto, Yoshihiro; Otomo, Manabu; Avramov, P.; Naramoto, Hiroshi*; Sakai, Seiji
近年、グラフェンなどのナノカーボンを用いたスピントロニクスが注目されている。これらの材料ではスピン-軌道相互作用が小さいことからスピン拡散長が増大し、その結果高いスピン輸送特性の実現が期待されている。本発表では化学気相蒸着法によるグラフェン成長において成長条件の最適化を行い、グラフェン層数の精密制御法を確立した。600
Cに保ったNi(111)表面上に前駆体となるベンゼンガスを曝露しグラフェンを成長した。グラフェンの成長過程を反射高速電子線回折を用いてその場観察することによりベンゼン曝露量とグラフェンの被覆率の関係を明らかにした。
no abstracts in English
使用言語 |
: | Japanese |
|---|---|---|
掲載資料名 |
: | |
巻 |
: | |
号 |
: | |
ページ数 |
: | |
発行年月 |
: | |
発表会議名 |
: | |
開催年月 |
: | 2011/09 |
開催都市 |
: | 新潟 |
開催国 |
: | 日本 |
キーワード |
: | no keyword |
論文URL |
: |
|
|---|---|---|
論文解説記事 |
: |
Access |
: |
- Accesses |
|---|---|---|
Altmetrics |
: |
[CLARIVATE ANALYTICS], [WEB OF SCIENCE], [HIGHLY CITED PAPER & CUP LOGO] and [HOT PAPER & FIRE LOGO] are trademarks of Clarivate Analytics, and/or its affiliated company or companies, and used herein by permission and/or license.
被引用回数：