新しい磁性半導体の開発に成功

Development of novel magnetic semiconductor

前川 禎通

Maekawa, Sadamichi

Jin Changqing教授(中国科学院),植村泰朋教授(米コロンビア大学),前川禎通センター長(日本原子力研究開発機構・先端基礎研究センター)及び内田慎一教授(東京大学理学系研究科)等の国際共同研究グループは、新しい磁性半導体であるLi(Zn,Mn)Asの開発に成功した。この物質は、従来の磁性半導体とは異なり磁気的性質と電気的性質を独立に制御でき、また将来の物質開発によりp型とn型の両方の性質を取り得ると予想されることから、磁性半導体によるp-n接合への道を拓く可能性があり、スピントロニクスの応用領域を大きく広げることが期待される。今回作成された材料では、リチウムが過剰な場合においてLi(Zn,Mn)Asに強磁性が発現してp型半導体となることがわかった。また、材料が均一な磁性を示すことを、ミュオンスピン緩和測定により明らかにし、スピンを効率よく操作できることを確認した。これらはLi(Zn,Mn)Asが今後のエレクトロニクス材料として極めて有望であることを示している。この研究は原子力機構・先端基礎研究センターの黎明研究制度による共同研究で行われた。

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