Preferential adsorption of C molecules to step edges of the Si(110)-162 single domain surface

単一ドメインSi(110)-162表面上でのC分子の優先吸着

横山 有太; 山田 洋一*; 朝岡 秀人  ; 佐々木 正洋*

Yokoyama, Yuta; Yamada, Yoichi*; Asaoka, Hidehito; Sasaki, Masahiro*

Si(110)表面は、162構造という非常に特異な再構成表面を形成する。162構造は、単原子高さのステップがおよそ5nmの間隔で交互に並んだ凹凸構造をしており、低次元ナノ構造創成のテンプレート表面として最適である。しかし、構造をよく制御したナノ構造創成はこれまで実現されていない。本研究では、Si表面温度をさまざまに変化させながらC分子を真空蒸着し、吸着形態の変化を走査トンネル顕微鏡(STM)を用いて計測した。その結果、表面温度によってC分子の吸着しやすいサイトが変化することが明らかとなった。これは表面温度の制御によりC分子の吸着位置が制御可能であることを示しており、任意の位置での低次元ナノ構造創成につながる成果であるといえる。

The Si(110)-162 reconstructed structure can be a superior template for 1-D nanostructures. However, the controlled nanostructure using this surface has not been fabricated yet. In this study, we have investigated the adsorption of C on the Si(110)-162 surface at various surface temperatures, and found that the C preferable adsorption site is remarkably changed, depending on the surface temperature. The obtained results indicate the possibility that the organic 1-D nanostructure can be fabricated on the Si(110)-162 surface by controlling the surface temperature.