ionsイオン衝撃したSiのスパッタリング収量に対する非線形効果のエネルギー依存性鳴海 一雅; 楢本 洋*; 山田 圭介; 齋藤 勇一; 千葉 敦也; 高橋 康之*; 前田 佳均
Narumi, Kazumasa; Naramoto, Hiroshi*; Yamada, Keisuke; Saito, Yuichi; Chiba, Atsuya; Takahashi, Yasuyuki*; Maeda, Yoshihito
10-540keV CイオンをSiに照射した場合のスパッタリング収量を測定した。Cイオン照射によるSiのスパッタリング収量は100keV近辺で最大になり、Cイオン1個あたり約600個となった。Sigmundの理論及びSRIM2008によって求めた同速度のC単原子イオンによるスパッタリング収量と比較したところ顕著な非線形効果を見いだした。非線形効果の指標となる入射C原子あたりのスパッタリング収量の比は最大で約12になり、一方10keVではほぼ1となった。さらに、クラスターイオンの構成原子数を
とすると、スパッタリング収量は
には依存しないことがわかった。以上の結果は、非線形効果の起源が熱スパイクモデルではなく、密な衝突カスケードによるものであることを支持する。
no abstracts in English
使用言語 |
: | English |
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掲載資料名 |
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巻 |
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号 |
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ページ数 |
: | P. 155 |
発行年月 |
: | 2012/01 |
キーワード |
: | no keyword |
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論文解説記事 |
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