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Studies of radiation effects on semiconductor devices at JAEA

半導体デバイスの放射線耐性強化技術の開発

大島 武

Oshima, Takeshi

半導体耐放射線性研究グループがこれまで行ってきた半導体の耐放射線性に関する研究のうち、特に、宇宙用太陽電池と炭化ケイ素(SiC)半導体デバイスに関する成果を放射線照射・評価技術の開発とも併せて紹介する。現在、宇宙ではInGaP/GaAs/Geの積層構造からなる三接合太陽電池が主流となっているが、GaAsサブセルの耐放射線性が低いため、照射とともにGaAsサブセルで発電可能な電流量が減少し、電流を制限するサブセルが当初のInGaPサブセルからGaAsサブセルに移ることで急激な短絡電流の劣化に至るという「劣化メカニズム」を説明する。また、SiCでは、SITと呼ばれる接合型の構造を持つトランジスタが、10MGyという高線量域でも正常に動作するという優れたトータルドーズ耐性を実証したことを紹介する。

no abstracts in English

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