超音速分子線を用いたSi初期酸化促進反応における面方位依存性の解析

Analysis of plane direction dependence for Si initial oxidation reactions induced by supersonic molecular beams

大野真也*; 井上慧*; 百瀬辰哉*; 兼村瑠威*; 吉越章隆 ; 寺岡有殿; 尾形祥一*; 安田哲二*; 田中正俊*

Ono, Shinya*; Inoue, Kei*; Momose, Tatsuya*; Kanemura, Rui*; Yoshigoe, Akitaka; Teraoka, Yuden; Ogata, Shoichi*; Yasuda, Tetsuji*; Tanaka, Masatoshi*

Siナノワイヤトランジスタ等の3次元構造を持つMOSFET構造においてはさまざまな面方位のSiO $_{2}$ /Si界面が存在する。そのひとつであるSi(113)面においても、単原子層における酸化過程は二層目以降の酸化過程に影響を及ぼす。そこで、極薄酸化層の構造や組成を精密に制御するため、単原子層レベルでの酸化反応機構を研究した。実験はSPring-8の原子力機構専用ビームラインBL23SUの表面化学実験ステーションにおいて実施した。超音速酸素分子線の並進運動エネルギーを0.8eVから2.3eVの間で変化させることにより、Si(113)面に対する酸化促進効果に着目した。並進運動エネルギーが大きいほどSi(001)の場合と比べてSi $^{2+}$ 強度が顕著に減少し、逆にSi $^{4+}$ 強度が増加する傾向が観察され、酸化膜の化学組成はSiO $_{2}$ により近づくことが明らかになった。

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発表言語	:	Japanese
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発表会議名	:	第25回日本放射光学会年会・放射光科学合同シンポジウム
開催年月	:	2012/01
開催都市	:	鳥栖
開催国	:	日本
キーワード	:	no keyword

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使用施設	:	SPring-8(大型放射光施設)
広報プレスリリース	:
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受委託・共同研究相手機関	:	横浜国立大学

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