Ordering of C on one-dimensional template of single-domain Ge(110)-162 and Si(110)-162 surfaces

Ge(110)-162及びSi(110)-162単一ドメインをテンプレートとしたC分子の規則配列構造作製

横山 有太; Sinsarp, A.*; 山田 洋一*; 朝岡 秀人  ; 佐々木 正洋*

Yokoyama, Yuta; Sinsarp, A.*; Yamada, Yoichi*; Asaoka, Hidehito; Sasaki, Masahiro*

Ge(110)-162及びSi(110)-162単一ドメイン表面をテンプレートとすることで、C分子の1次元的な規則配列構造の作製を行った。Ge(110)-162表面では、室温においてもC分子の拡散が起こり、C分子はステップ端に選択的に吸着し、規則的なナノワイヤー構造を形成した。一方、Si(110)-162表面では表面とC分子の相互作用が強いため、室温ではあまり表面拡散が起こらず、ランダムに吸着した。この結果は、Ge(110)-162表面をテンプレートとすることで、原子・分子のナノワイヤー構造が作製できる可能性を示唆するものである。

We demonstrated the ordering of C in one dimension by using Ge(110)-162 and Si(110)-162 single-domain surfaces as an one-dimensional templates. On the Ge(110)-162 surface where surface diffusion of C was activated at room temperature such that it was aligned along the step edge, the formation of one-dimensional order of C molecules was achieved. In contrast, on the Si(110)-162 surface, the substantial reactivity of the surface limited the diffusion of adsorbed C, resulting in random adsorption at room temperature.