Charge transfer and structure of K/Si(111)--B surface studied by reflection high-energy positron diffraction

反射高速陽電子回折によるK/Si(111)--B表面の電荷移動と原子配置の研究

深谷 有喜   ; 望月 出海; 河裾 厚男

Fukaya, Yuki; Mochizuki, Izumi; Kawasuso, Atsuo

反射高速陽電子回折を用いて、K/Si(111)--B表面の原子配置とK原子からの電荷移動を調べた。基板であるSi(111)--B表面にK原子が吸着すると、111ブラッグ反射のピーク位置が低角側にシフトすることがわかった。このことは、K原子の吸着により平均内部ポテンシャルが変化したことを示している。表面ダイポールの形成を考えると、この変化はK原子1個あたり1個の電荷移動に対応することがわかった。またロッキング曲線の解析から、最表面K原子とSiアドアトムの高さをそれぞれ、Si第一層から2.96と2.51と決定した。この大きなSiアドアトムの構造緩和は、最近の理論的予測と一致している。さらに、からへ相転移すると、最表面K原子が無秩序化することがわかった。したがって、この相転移は秩序無秩序型であることがわかった。

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