検索対象:     
報告書番号:
※ 半角英数字
 年 ~ 
 年

超音速酸素分子線によるGe(111)-c(2$$times$$8)表面の室温酸化の促進

Enhancement of oxidation at Ge(111)-c(2$$times$$8) surface at 300 K by supersonic O$$_2$$ molecular beam

岡田 隆太; 吉越 章隆 ; 寺岡 有殿; 山田 洋一*; 佐々木 正洋*

Okada, Ryuta; Yoshigoe, Akitaka; Teraoka, Yuden; Yamada, Yoichi*; Sasaki, Masahiro*

次世代デバイス材料としてSiよりも移動度などで優れた物性を有するGeが期待されている。Geを電界効果トランジスタ(FET)に応用するためには、Ge酸化膜の制御が不可欠である。またデバイスでは、さまざまな結晶面上のGe酸化膜が考えられる。本研究によってGeの代表的な低指数面である(111)の室温酸化反応に対して、超音速酸素分子線によって、バックフィリングより酸化が進むことが放射光XPSによるその場観測から明らかになった。本研究で観測されたGeのXPSスペクトルの比較から、超音速酸素分子線による酸化はバックフィリング酸化よりも、高配位の酸化成分を持つことが明らかになった。本研究は、高品質なGe酸化膜を形成する応用上重要な基礎的知見となる。

Ge has been attracting considerable attention as one of the promising materials for next-generation MOSFET devises because of its high carrier mobility. Understanding of O adsorption process on Ge substrate with various index planes is the most essential to control the quality of oxide layers for these devices. In this research, we employ SR-XPS (synchrotron radiation X-ray photoelectron spectroscopy) measurement to study the oxidation mechanism of the Ge(111) which is known as one of the low index planes. We found the difference in Ge3d profiles of the Ge oxide formed by between supersonic O$$_2$$ molecular beam and back filling O$$_2$$. The difference shows that the kinetic energy of the supersonic O$$_2$$ molecular beam caused higher coordination of Ge oxide than that of back filling O$$_2$$. This result suggests the presence of new O adsorption states activated by the supersonic O$$_2$$ molecular beam.

Access

:

- Accesses

InCites™

:

Altmetrics

:

[CLARIVATE ANALYTICS], [WEB OF SCIENCE], [HIGHLY CITED PAPER & CUP LOGO] and [HOT PAPER & FIRE LOGO] are trademarks of Clarivate Analytics, and/or its affiliated company or companies, and used herein by permission and/or license.