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酸化グラフェン還元過程のリアルタイムXPS観察; ヒドラジン処理効果

Real-time XPS study of reduction of graphene oxide; Effect of hydrazine treatment

渡辺 大輝*; 小川 修一*; 山口 尚人*; 穂積 英彬*; 江田 剛輝*; Mattevi, C.*; 吉越 章隆 ; 石塚 眞治*; 寺岡 有殿; 山田 貴壽*; Chhowalla, M.*; 高桑 雄二*

Watanabe, Daiki*; Ogawa, Shuichi*; Yamaguchi, Hisato*; Hozumi, Hideaki*; Eda, Goki*; Mattevi, C.*; Yoshigoe, Akitaka; Ishizuka, Shinji*; Teraoka, Yuden; Yamada, Takatoshi*; Chhowalla, M.*; Takakuwa, Yuji*

本研究ではH$$_{4}$$N$$_{2}$$処理による酸化グラフェンの化学結合状態と電子状態の変化を調べるため、酸化グラフェンンの加熱還元過程のリアルタイム光電子分光観察を行った。800$$^{circ}$$Cに加熱後の酸化グラフェンのC1s光電子スペクトルから、H$$_{4}$$N$$_{2}$$処理した酸化グラフェンはsp$$^{3}$$に起因するアモルファス成分並びに点欠陥が著しく減少していることがわかった。酸化物もH$$_{4}$$N$$_{2}$$処理によって減少することが明らかとなった。以上よりH$$_{4}$$N$$_{2}$$処理によって酸化グラフェンの抵抗率や透過率が改善するのは酸化物が減少するだけでなく、点欠陥やアモルファスも低減するためとわかった。

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