安部 壮祐*; 大野 真也*; 兼村 瑠威*; 吉越 章隆 
; 寺岡 有殿; 尾形 祥一*; 安田 哲二*; 田中 正俊*
Abe, Sosuke*; Ono, Shinya*; Kanemura, Rui*; Yoshigoe, Akitaka; Teraoka, Yuden; Ogata, Shoichi*; Yasuda, Tetsuji*; Tanaka, Masatoshi*
シリコン高指数面における酸素分子による初期酸化過程を放射光光電子分光法でその場観察した。Si(001)とSi(113)におけるSi2p内殻光電子スペクトルの温度依存性を評価した。いずれの面においても温度上昇とともにSi
強度が増大するがその変化はSi(113)の方が大きい。またSi
強度はSi(113)ではより小さい。したがって、Si(113)では界面にサブオキサイドが少ないため、より絶縁性の高いシリコン酸化膜が形成されていると考えられる。
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使用言語 |
: | Japanese |
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: | 2012/03 |
開催都市 |
: | 東京 |
開催国 |
: | 日本 |
キーワード |
: | no keyword |
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