イオンを照射したSi中の照射損傷に対するクラスター効果 ions鳴海 一雅; 楢本 洋*; 山田 圭介; 千葉 敦也; 齋藤 勇一; 森田 陽亮*; 中嶋 薫*; 木村 健二*; 前田 佳均
Narumi, Kazumasa; Naramoto, Hiroshi*; Yamada, Keisuke; Chiba, Atsuya; Saito, Yuichi; Morita, Yosuke*; Nakajima, Kaoru*; Kimura, Kenji*; Maeda, Yoshihito
室温で10-540keV Cイオンを照射したSi結晶中の格子位置から変位したSi原子数を、ラザフォード後方散乱/チャネリング法で評価し、1個のCイオン衝撃により格子位置から変位したSi原子数を、照射量依存性を解析することから求めた。この解析により、照射損傷の照射量依存性がイオントラック的描像で説明できることがわかった。さらに、同じ速度のCイオンにより格子位置から変位したSi原子数を、SRIM2008を使って求め、照射損傷に対する非線形効果を評価した。非線形効果はCイオンのエネルギーに依存し、100keV近辺で最大になる。このエネルギー依存性は、核的阻止能とSi中でのC原子間距離の広がりによって定性的に説明できる。
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使用言語 |
: | Japanese |
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: | 2012/03 |
開催都市 |
: | 西宮 |
開催国 |
: | 日本 |
キーワード |
: | no keyword |
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