Synthesis of multilayered composite nanotube heterostructure; SiC-SiO, C-SiO, and C-SiC-SiO nanotubes

多層複合ナノチューブの合成; SiC-SiO, C-SiO及びC-SiC-SiOナノチューブ

田口 富嗣; 社本 真一  

Taguchi, Tomitsugu; Shamoto, Shinichi

簡便な熱処理により、3種類の複合ナノチューブ(SiC-SiO, C-SiO及びC-SiC-SiOナノチューブ)の合成に成功した。これら多層複合ナノチューブは、金属,半導体及び絶縁体と異なった電気特性を有する物質から合成されていた。特に、金属,半導体及び絶縁体から構成されているC-SiC-SiOナノチューブは、本研究により初めて合成された。これら多層複合ナノチューブは、ナノ電気・光学デバイスへの応用が期待される。

Three types of composite nanotube heterostructures (two double-layered and one triple-layered structure) are synthesized by simple heat treatment, forming SiC-SiO, C-SiO, and C-SiC-SiO composite coaxial nanotubes. These multilayered composite nanotubes consist of several components with different electrical properties, for example, metal, semiconductor and insulator components. In particular, C-SiC-SiO triple-layered nanotubes with metallic, semiconducting and insulating layers are synthesized for the first time. These multilayered nanotubes can be expected to find applications in nanoscale heterostructure electronic and optical devices.