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ヒドラジン処理酸化グラフェンの真空加熱過程の光電子分光観察

Photoelectron spectroscopic observation of thermal annealing processes in vacuum for graphene oxide treated by hydrazine

渡辺 大輝*; 小川 修一*; 山口 尚登*; 穂積 英彬*; 江田 剛輝*; Mattevi, C.*; 吉越 章隆 ; 石塚 眞治*; 寺岡 有殿; 山田 貴壽*; Chhowalla, M.*; 高桑 雄二*

Watanabe, Daiki*; Ogawa, Shuichi*; Yamaguchi, Hisato*; Hozumi, Hideaki*; Eda, Goki*; Mattevi, C.*; Yoshigoe, Akitaka; Ishizuka, Shinji*; Teraoka, Yuden; Yamada, Takatoshi*; Chhowalla, M.*; Takakuwa, Yuji*

グラフェンはその高い電子移動度から透明電極への応用が期待されているが、大面積グラフェン形成法として酸化グラフェン(GO)の還元法が提案されている。GOは面内に結合した水酸基を加熱処理によって取り除くことで、伝導率と透過率が回復する。また、ヒドラジン(H$$_{2}$$N$$_{2}$$)雰囲気中に曝したGOは、晒していないGOよりもより低温で伝導率が改善される。しかし、その還元過程及びH$$_{2}$$N$$_{2}$$処理効果については明らかになっていない。本研究では、高輝度放射光を用いた光電子分光法によりGOの真空加熱による還元過程をリアルタイム観察し、電子状態と化学結合状態を調べた。H$$_{2}$$N$$_{2}$$処理を行うことで酸化成分,アモルファス成分が減少し、また、加熱により点欠陥成分も減少することが、GOの抵抗率や透過率の改善に寄与することを明らかにした。

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