• help
  • PC | SP
  • JP | EN
          
検索対象：     
報告書番号：
※ 半角英数字
 年 ～ 
 年
全てクリア
前の画面に戻る

高品位$$beta$$-FeSi$$_2$$薄膜作製に適した基板表面処理条件の検討

Investigation of substrate surface treatment conditions to fabricate highly crystalline $$beta$$-FeSi$$_2$$ thin film

濱本 悟*; 山口 憲司; 北條 喜一

Hamamoto, Satoshi*; Yamaguchi, Kenji; Hojo, Kiichi

原子力機構では、超高真空下でのスパッタエッチング(SE)を併用したイオンビームスパッタ蒸着法を用い、Si(100)基板上に高配向した$$beta$$-FeSi$$_2$$薄膜を得ている。しかし、薄膜の構造とSi基板処理条件との関係に関しては、まだ十分に明らかになっていない。本研究では、Ne$$^+$$イオンによるSi基板の表面処理を行い、高配向性$$beta$$-FeSi$$_2$$薄膜を得るのに適した条件を探索した。実験の結果、本研究で試したすべての処理条件で清浄な表面であることを示すSi(100)-2$$times$$1構造が反射高速電子線回折(RHEED)により観察された。一方、X線回折の結果から、SE条件3keV, 3.7$$times$$10$$^{16}$$cm$$^{-2}$$のとき、高い配向性を有する$$beta$$単相膜が得られることがわかった。その他の条件で処理した試料は、$$alpha$$(001)や$$beta$$(220)/(202)面等からのピークが観測されることから、照射量を増やすことでこれら面方向への成長が抑制されたと考えられる。

no abstracts in English

使用言語

 :

Japanese

掲載資料名

 :

巻

 :

号

 :

ページ数

 :

発行年月

 :

発表会議名

 :

2012年秋季第73回応用物理学会学術講演会

開催年月

 :

2012/09

開催都市

 :

松山

開催国

 :

日本

キーワード

 :

no keyword

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

研究データの公開先DOI

 :

使用施設

 :

広報プレスリリース

 :

論文解説記事
(成果普及情報誌)

 :

受委託・共同研究相手機関

 :

Access

 :

- Accesses

InCites™

 :

Altmetrics

 :

[CLARIVATE ANALYTICS], [WEB OF SCIENCE], [HIGHLY CITED PAPER & CUP LOGO] and [HOT PAPER & FIRE LOGO] are trademarks of Clarivate Analytics, and/or its affiliated company or companies, and used herein by permission and/or license.

前の画面に戻る