微傾斜Si(111)基板を用いたグラフェン・オン・シリコン

Graphene on 3C-SiC(111)/Si(111) off-axis

原本 直樹*; 猪俣 州哉*; 三本菅 正太*; 吉越 章隆 ; 寺岡 有殿; 吹留 博一*; 末光 眞希*

Haramoto, Naoki*; Inomata, Shuya*; Sambonsuge, Shota*; Yoshigoe, Akitaka; Teraoka, Yuden; Fukidome, Hirokazu*; Suemitsu, Maki*

3C-SiC(111)/Si(111)基板上では6H-SiC(0001)基板上と同様にグラフェンが形成されるが、品質は6H-SiC基板上のグラフェンと比較すると不十分である。3C-SiC薄膜の膜質は微傾斜Si基板を使用したステップフロー成長法でよくなることがわかっている。そこで、今回、微傾斜Si(111)基板上のSiC薄膜の質向上、及び、形成後のグラフェンの品質を調べた。モノメチルシランを用いたガスソース分子線エピタキシー法により微傾斜Si(111)基板上にSiC(111)薄膜を成膜した。成膜後の3C-SiC(111)/Si(111)off-axisはXRD測定により減少することから結晶性が向上することが明らかになった。その薄膜の熱改質によりSiC(111)/Si(111)薄膜上にグラフェンを形成した。ラマンスペクトルから、高品質なグラフェンが形成されていることがわかった。

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