• help
  • PC | SP
  • JP | EN
          
検索対象：     
報告書番号：
※ 半角英数字
 年 ～ 
 年
全てクリア
前の画面に戻る

高配向$$beta$$-FeSi$$_{2}$$薄膜作製のための基板表面処理条件並びに蒸着条件の検討

Investigation of substrate surface treatment and deposition conditions to fabricate highly-oriented $$beta$$-FeSi$$_{2}$$ thin film

濱本 悟*; 山口 憲司; 北條 喜一

Hamamoto, Satoru*; Yamaguchi, Kenji; Hojo, Kiichi

代表者らは、超高真空下でのスパッタエッチング(SE)を併用したイオンビームスパッタ蒸着(IBSD)法を用い、シリコン(Si)基板上に高配向した$$beta$$-FeSi$$_{2}$$薄膜を得ている。しかし、薄膜の構造とSi基板表面処理条件との関係に関しては、まだ十分に明らかになっていない。本研究では、Si基板表面処理条件(入射エネルギー、照射量)や蒸着温度について検討し、成膜への影響を系統的に調べた。その結果、照射量や蒸着温度によって$$beta$$(100)面以外の結晶成長を制御し、高配向膜を得ることができることを示した。

no abstracts in English

使用言語

 :

Japanese

掲載資料名

 :

巻

 :

号

 :

ページ数

 :

発行年月

 :

発表会議名

 :

応用物理学会第14回シリサイド系半導体・夏の学校

開催年月

 :

2012/07

開催都市

 :

三浦

開催国

 :

日本

キーワード

 :

no keyword

特許データ

 :

PDF

 :


論文URL

 :

研究データの公開先DOI

 :

使用施設

 :

広報プレスリリース

 :

論文解説記事
(成果普及情報誌)

 :

受委託・共同研究相手機関

 :

Access

 :

- Accesses

InCites™

 :

Altmetrics

 :

[CLARIVATE ANALYTICS], [WEB OF SCIENCE], [HIGHLY CITED PAPER & CUP LOGO] and [HOT PAPER & FIRE LOGO] are trademarks of Clarivate Analytics, and/or its affiliated company or companies, and used herein by permission and/or license.

前の画面に戻る