Ge(111)-c(28)室温酸化において酸素分子の並進運動エネルギーで誘起される酸化状態の放射光光電子分光分析

The Synchrotron radiation photoelectron spectroscopic analysis of oxidized Ge(111)-c(28) surface at 300 K caused by translational kinetic energy of O molecules

岡田 隆太; 吉越 章隆 ; 寺岡 有殿; 神農 宗徹*; 山田 洋一*; 佐々木 正洋*

Okada, Ryuta; Yoshigoe, Akitaka; Teraoka, Yuden; Jinno, Muneaki*; Yamada, Yoichi*; Sasaki, Masahiro*

Siを用いた電界効果トランジスタにおいて、Geをチャンネルに利用し高性能化を図る研究が活発化しており、その低指数面上の極薄酸化物や酸化状態の解明が求められている。本研究では、0.027eVから2.2eVまでの異なる並進運動エネルギー(E)を持つ超音速O分子線によって、特に電子移動度に優れたGe(111)表面上に室温で誘起される表面酸化状態の違いを、放射光XPSによるその場分析によって調べた。Eの増加に伴い酸素吸着量が増加し、それに対応したGeの酸化成分が変化することがわかった。さらに、Eが2.2eVでは、Oガスの曝露で形成される酸化膜とは異なるGeを含む酸化物が形成できることが明らかとなった。

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