O分子の並進運動エネルギーによるGe(111)-c(28)室温表面の酸化促進と生成酸化物の相関

Correlation of reaction products and enhancement of oxidation caused by translational kinetic energy of O molecules on Ge(111)-c(28) at 300 K

Okada, Ryuta; Yoshigoe, Akitaka; Teraoka, Yuden; Jinno, Muneaki*; Yamada, Yoichi*; Sasaki, Masahiro*

Ge低指数面の中で特に電子移動度の大きな(111)面は、電界効果トランジスタのチャンネル材料として有望視され、極薄酸化物とその界面及び生成物の解明が重要となっている。本研究では異なる並進運動エネルギー(E)のO分子による表面酸化物の違いを放射光XPSにより調べた。Eの増加により酸素の吸着量が増加し、それに対応してGe酸化成分が変化することを発見した。さらに、この吸着酸素量の増加は、1.0eVにエネルギー閾値を持つ、Ge形成を促進する活性化吸着反応に起因することがわかった。

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使用言語	:	Japanese
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発表会議名	:	第32回表面科学学術講演会
開催年月	:	2012/11
開催都市	:	仙台
開催国	:	日本
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使用施設	:	SPring-8(大型放射光施設)
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受委託・共同研究相手機関	:	筑波大学

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