運動エネルギー誘起Al(111)窒化膜内の窒素分布 adsorption高岡 毅*; 神農 宗徹*; 寺岡 有殿; Harries, J.; 岡田 隆太; 岩井 優太郎*; 吉越 章隆 
; 米田 忠弘*
Takaoka, Tsuyoshi*; Jinno, Muneaki*; Teraoka, Yuden; Harries, J.; Okada, Ryuta; Iwai, Yutaro*; Yoshigoe, Akitaka; Komeda, Tadahiro*
窒化アルミニウム(AlN)はヒートシンクなどさまざまな機能を持つ材料として注目されている。Nガスはアルミニウムとは反応しにくいので、AlN薄膜形成には化学気相成長などの方法が用いられる。しかし、われわれは超高真空中でAl(111)表面に並進運動エネルギー1.8eV以上の超音速N分子線(SSNMB)を照射すると室温でも直接窒化反応が起こることを見いだした。この手法によって作製したAlN薄膜における窒素原子の深さ方向分布について、おもに角度分解放射光XPSを用いて解析した。
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使用言語 |
: | Japanese |
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: | 2012/11 |
開催都市 |
: | 仙台 |
開催国 |
: | 日本 |
キーワード |
: | no keyword |
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