脱塩基部位の局在性評価法の開発と放射線照射DNAへの適用

The Method for estimating localization of AP sites and its application to DNA exposed to ionizing radiations

赤松 憲; 鹿園 直哉

Akamatsu, Ken; Shikazono, Naoya

電離放射線によって生じたDNA損傷は、完全に修復されなければ突然変異や発癌の原因になるといわれている。特に、高LET放射線の飛跡周辺や二次電子の飛跡末端で生じやすいとされている、いわゆるクラスター損傷(複数の損傷がDNA上の狭い領域に集中的に生じている)は修復が困難とされているが、その実体はほとんど明らかになっていない。そこでわれわれは、このような仮説的な損傷を実験的に解明するために、フェルスター共鳴エネルギー移動(FRET)を利用した損傷位置局在性評価法の開発を行ってきた。損傷のひとつである脱塩基部位(AP)がランダムに生じると予想される熱処理(70C, pH5)DNA(pUC19, 2686bp)をモデルとして用い、FRET実験データ点と損傷間隔がランダムな場合(指数分布)の理論曲線を比較した。その結果、両者は一致することがわかった。熱処理DNAにはAPがランダムに存在することを実験的に初めて確認できたといえる。また、実際にコバルト60線やヘリウム粒子線を照射したDNAに対して本FRET法を適用した。それらの結果も合わせて報告する。

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