陽電子マイクロビーム及び電子ビーム誘起電流測定法を併用した半導体中の欠陥空間分布の観察

Evaluation of defects in semiconductor by scanning positron microprobe and electron beam induced current

前川 雅樹; 河裾 厚男

Maekawa, Masaki; Kawasuso, Atsuo

電子ビーム誘起電流測定法(EBIC)は、半導体に電子線を照射することで誘起される電子正孔対が、欠陥での再結合により減少することを利用して欠陥の分布や形状をコントラストとして得る方法である。一方で、走査型陽電子顕微鏡(SPM)を用いた陽電子消滅測定では、空孔型欠陥の空間分布を得ることが可能である。本研究では、われわれがこれまで開発してきたSPM装置にEBIC測定系を組み込み、EBICコントラストと空孔型欠陥との関連を調べるシステムを構築した。シリコンにヘリウムイオンを照射した試料をEBIC法で測定したところ、イオン照射領域に再結合中心由来のコントラストが観測された。SPM法で測定した場合には、同じ領域で空孔型欠陥の存在を示す消滅線エネルギースペクトルのピーク強度の増大が観測された。このようにEBICとSPMの同時測定から、EBIC測定により得られたコントラストが空孔型欠陥を含んでいるかどうかを判別することが可能となった。

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