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LaFeAsO$$_{1-y}$$の最適ドープ試料における磁場侵入長測定から見た超伝導ギャップ構造

Superconducting gap structure of optimally doped LaFeAsO$$_{1-y}$$ by penetration depth measurement

水上 雄太*; 川本 雄太*; Goh, S. K.*; 石角 元志*; 石田 茂之*; 鬼頭 聖*; 伊豫 彰*; 永崎 洋*; 社本 真一  ; 芝内 孝禎*; 松田 祐司*

Mizukami, Yuta*; Kawamoto, Yuta*; Goh, S. K.*; Ishikado, Motoyuki*; Ishida, Shigeyuki*; Kito, Hijiri*; Iyo, Akira*; Eisaki, Hiroshi*; Shamoto, Shinichi; Shibauchi, Takasada*; Matsuda, Yuji*

今回われわれは母物質LaFeAsOにおいて酸素欠損させることにより得られる超伝導体LaFeAsO$$_{1-y}$$の最適ドープ試料(T$$_{rm c}$$$$sim$$25K)を用いて、準粒子の低エネルギー励起を直接観測可能な磁場侵入長測定を500mK(T/(T$$_{rm c}$$$$sim$$0.02)まで行った。講演では磁場侵入長の温度依存性の詳細を報告し、超伝導ギャップ構造について議論したい。

no abstracts in English

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