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酸化グラフェンの還元におけるヒドラジン処理効果

Effects of hydrazine processing in reduction of oxidized graphene

渡辺 大輝*; 小川 修一*; 山口 尚登*; 穂積 英彬*; 江田 剛輝*; Mattevi, C.*; 吉越 章隆 ; 石塚 眞治*; 寺岡 有殿; 山田 貴壽*; Chhowalla, M.*; 高桑 雄二*

Watanabe, Daiki*; Ogawa, Shuichi*; Yamaguchi, Hisato*; Hozumi, Hideaki*; Eda, Goki*; Mattevi, C.*; Yoshigoe, Akitaka; Ishizuka, Shinji*; Teraoka, Yuden; Yamada, Takatoshi*; Chhowalla, M.*; Takakuwa, Yuji*

高輝度放射光を用いた光電子分光法により、ヒドラジン(H$$_{4}$$N$$_{2}$$)処理及び無処理の酸化グラフェンの真空加熱による還元過程をリアルタイム観察し、化学結合状態の変化を比較し、還元過程におけるH$$_{4}$$N$$_{2}$$処理の効果について調べた。H$$_{4}$$N$$_{2}$$処理後の加熱還元過程では、空孔などの欠陥成分の増加が大きく抑制されていることが明らかとなった。H$$_{4}$$N$$_{2}$$処理によって酸化グラフェンの電気特性が改善するのは、酸化物が減少するだけでなく、アモルファス成分と空孔欠陥成分も低減するためとわかった。

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