Proton irradiation effects on amorphous silicon triple-junction solar cells

アモルファスシリコン系三接合太陽電池の陽子線照射効果

佐藤 真一郎; Kevin, B.*; 大島 武

Sato, Shinichiro; Kevin, B.*; Oshima, Takeshi

陽子線照射されたa-Si/a-SiGe/a-SiGe三接合太陽電池の発電特性の劣化挙動についてその場測定装置を用いて詳細に調べた。その結果、陽子線照射による劣化ははじき出し線量という単位によって統一的にスケールすることができ、陽子線照射劣化がおもにはじき出し損傷効果に起因していることが明らかになった。また、照射直後の特性の回復を調べたところ、発電性能を示すパラメーターのすべてが室温で有意に上昇した。特に、短絡電流の回復が顕著であり、これは照射欠陥の室温回復に基づくキャリア寿命の増加に起因するものであると考えられる。

Degradation behavior of a-Si/a-SiGe/a-SiGe triple-junction solar cells irradiated with various energy protons are investigated . It is clarified that the degradation due to proton irradiation is scaled by a unit of displacement damaged dose and thus the proton-induced degradation is mainly caused by the displacement damage effect. The performance recoveries immediately after irradiation are also investigated and it is clarified that all the parameters recover significantly at room temperature. In particular, the remarkable recovery is observed in the short-circuit current. This is thought to be due to recovery of the carrier lifetime, which is based on annealing of radiation defects.