Applicability of redundant pairs of SOI transistors for analog circuits

トランジスタペアによる冗長化のアナログ回路への適用

槇原 亜紀子*; 横瀬 保*; 土屋 義久*; 谷 幸一*; 森村 忠昭*; 阿部 浩之; 新藤 浩之*; 海老原 司*; 丸 明史*; 森川 剛一*; 久保山 智司*; 田村 貴志*

Makihara, Akiko*; Yokose, Tamotsu*; Tsuchiya, Yoshihisa*; Tani, Koichi*; Morimura, Tadaaki*; Abe, Hiroshi; Shindo, Hiroyuki*; Ebihara, Tsukasa*; Maru, Akifumi*; Morikawa, Koichi*; Kuboyama, Satoshi*; Tamura, Takashi*

これまでおもにディジタル回路へ使用していたSOI(Silicon On Insulator)とペアのトランジスタを配置する冗長化技術を活用したアナログ回路用の新たなRHBD(Radiation Hardening By Design)技術を提案して、PLL(Phase-Locked Loop)等のアナログ回路へ応用することで、その耐放射線の向上を検討した。この技術は、従来の三重の冗長系を組むRHBD技術に比べ、非常にシンプルであるとともに電力消費や面積増大の損失も比較的少ないという特徴を持つ。このRHBD技術を600MHz、0.15m技術でFD(Fully Depleted)SOI基板上に作製したPLLに適用したところ、LET(Linear Energy Transfer)が68.9MeV/(mg/cm)という高い値でも誤動作を生じないことが実証された。

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